KF564C32BBEA-16
Kingston FURY KF564C32BBEA-16 es un módulo de memoria DDR5-6400 CL32 SDRAM (Memoria de acceso aleatorio síncrona), de 2G x 64 bits (16 GB) y 1Rx8, basado en ocho componentes de 2G x 8 bits FBGA por módulo. El módulo es compatible con AMD® EXPO v1.1 y los Perfiles de Memoria Extremos de Intel® (Intel® XMP) 3.0. Cada módulo ha sido probado para funcionar a DDR5-6400 con una latencia baja de 32-39-39 a 1.4V. Los SPD están programados con la latencia estándar JEDEC DDR5-4800 de 40-39-39 a 1.1V. Cada DIMM de 288 pines utiliza dedos de contacto de oro.
Características
Default (JEDEC): DDR5-4800 CL40-39-39 @1.1V
EXPO Profile #0: DDR5-6400 CL32-39-39 @1.4V
EXPO Profile #1: DDR5-6000 CL30-36-36 @1.4V
XMP Profile #1: DDR5-6400 CL32-39-39 @1.4V
XMP Profile #2: DDR5-6000 CL30-36-36 @1.4V
CL(IDD): 40 ciclos
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 48ns (mín.)
Tiempo de refresco a activo/refresco: 295ns (mín.)
Tiempo de comando (tRFCmin): 295ns (mín.)
Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns(min.)
Clasificación UL: 94 V - 0
Temperatura de operación: 0 C to +85 C
Temperatura de almacenamiento: -55 C to +100 C
Especificaciones
Fuente de alimentación: VDD = 1.1V Típico
VDDQ = 1.1V Típico
VPP = 1.8V Típico
VDDSPD = 1.8V a 2.0V
ECC en el chip
Altura: 1.66” (42.23mm), con disipador de c
Kingston FURY KF564C32BBEA-16 es un módulo de memoria DDR5-6400 CL32 SDRAM (Memoria de acceso aleatorio síncrona), de 2G x 64 bits (16 GB) y 1Rx8, basado en ocho componentes de 2G x 8 bits FBGA por módulo. El módulo es compatible con AMD® EXPO v1.1 y los Perfiles de Memoria Extremos de Intel® (Intel® XMP) 3.0. Cada módulo ha sido probado para funcionar a DDR5-6400 con una latencia baja de 32-39-39 a 1.4V. Los SPD están programados con la latencia estándar JEDEC DDR5-4800 de 40-39-39 a 1.1V. Cada DIMM de 288 pines utiliza dedos de contacto de oro.
Características
Default (JEDEC): DDR5-4800 CL40-39-39 @1.1V
EXPO Profile #0: DDR5-6400 CL32-39-39 @1.4V
EXPO Profile #1: DDR5-6000 CL30-36-36 @1.4V
XMP Profile #1: DDR5-6400 CL32-39-39 @1.4V
XMP Profile #2: DDR5-6000 CL30-36-36 @1.4V
CL(IDD): 40 ciclos
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 48ns (mín.)
Tiempo de refresco a activo/refresco: 295ns (mín.)
Tiempo de comando (tRFCmin): 295ns (mín.)
Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns(min.)
Clasificación UL: 94 V - 0
Temperatura de operación: 0 C to +85 C
Temperatura de almacenamiento: -55 C to +100 C
Especificaciones
Fuente de alimentación: VDD = 1.1V Típico
VDDQ = 1.1V Típico
VPP = 1.8V Típico
VDDSPD = 1.8V a 2.0V
ECC en el chip
Altura: 1.66” (42.23mm), con disipador de c
